<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Физика низких температур, 2005, № 06</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117848" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117848</id>
<updated>2026-04-16T11:45:03Z</updated>
<dc:date>2026-04-16T11:45:03Z</dc:date>
<entry>
<title>Виктор Никитич Григорьев (К 75-летию со дня рождения)</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121770" rel="alternate"/>
<author>
<name/>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121770</id>
<updated>2017-06-17T00:03:11Z</updated>
<published>2005-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Виктор Никитич Григорьев (К 75-летию со дня рождения)
</summary>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Недиссипативный ток в квантовой проволоке</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121664" rel="alternate"/>
<author>
<name>Гусейнов, Н.М.</name>
</author>
<author>
<name>Сеид-Рзаева, С.М.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121664</id>
<updated>2017-06-16T00:02:28Z</updated>
<published>2005-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Недиссипативный ток в квантовой проволоке
Гусейнов, Н.М.; Сеид-Рзаева, С.М.
Теоретически исследован недиссипативный ток двумерного вырожденного электронного&#13;
газа в планарной квантовой проволоке с ограничивающим параболическим потенциалом в магнитном&#13;
поле, направленном перпендикулярно плоскости проволоки. С помощью решения уравнения&#13;
матрицы плотности получено выражение недиссипативной электропроводности для произвольного&#13;
по величине магнитного поля. Выявлено, что проводимость обладает металлическими&#13;
свойствами и квантовый эффект Холла не должен возникать в проволоке с параболическим&#13;
ограничивающим потенциалом. В сильном магнитном поле выражение для недиссипативной&#13;
электропроводности соответствует «классическому». В слабом поле проводимость линейно пропорциональна&#13;
величине магнитного поля.; Теоретично досліджено недисипативний струм двовимірного виродженого електронного&#13;
газу в планарному квантовому дроті з обмежуючим параболічним потенціалом у магнітному&#13;
полі, спрямованому перпендикулярно площині дроту. За допомогою рішення рівняння матриці&#13;
щільності отримано вираз недисипативної електропровідності для довільного по величині&#13;
магнітного поля. Виявлено, що провідність має металеві властивості і квантовий ефект Холу не&#13;
повинен виникати в дроті з параболічним обмежуючим потенціалом. У сильному магнітному&#13;
полі вираз для недисипативної електропровідності відповідає «класичному». У слабкому полі&#13;
провідність лінійно пропорційна величині магнітного поля.; The nondissipative current of two-dimensional&#13;
degenerate electron gas in a planar quantum wire&#13;
with a parabolic confining potential was investigated&#13;
theoretically in a magnetic field normal to&#13;
the wire plane. An expression of nondissipative&#13;
conductance for arbitrary magnetic field was obtained&#13;
by solving the equation for density matrix.&#13;
It is found that the conductance has metallic&#13;
properties and the quantum Hall effect must&#13;
not occur in the wire with the parabolic confining&#13;
potential. In a strong magnetic field the conductance&#13;
corresponds to the «classical» one. In a&#13;
weak field the conductance is linearly proportional&#13;
to the magnitude of magnetic field.
</summary>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Energy pumping in a quantum nanoelectromechanical system</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121663" rel="alternate"/>
<author>
<name>Nord, T.</name>
</author>
<author>
<name>Gorelik, L.Y.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121663</id>
<updated>2017-06-16T00:02:28Z</updated>
<published>2005-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Energy pumping in a quantum nanoelectromechanical system
Nord, T.; Gorelik, L.Y.
Fully quantized mechanical motion of a single-level quantum coupled to two voltage biased&#13;
electronic leads is studied. It is found that there are two different regimes depending on the applied&#13;
voltage. If the bias voltage is below a certain threshold (which depends on the energy of the&#13;
vibrational quanta) the mechanical subsystem is characterized by a low level of excitation. Above&#13;
a threshold the energy accumulated in the mechanical degree of freedom dramatically increases.&#13;
The distribution function for the energy level population and the current through the system in&#13;
this regime is calculated.
</summary>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Взаимосвязь между спиновым состоянием марганца и стабильностью кристаллической структуры соединений MnAs и MnP</title>
<link href="http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121662" rel="alternate"/>
<author>
<name>Вальков, В.И.</name>
</author>
<author>
<name>Головчан, А.В.</name>
</author>
<id>http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/121662</id>
<updated>2017-06-16T00:02:27Z</updated>
<published>2005-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Взаимосвязь между спиновым состоянием марганца и стабильностью кристаллической структуры соединений MnAs и MnP
Вальков, В.И.; Головчан, А.В.
Исходя из первых принципов, методом FP–LMTO исследовано основное состояние арсенида&#13;
и фосфида марганца, имеющих гексагональную В8₁ и искаженную ромбическую В31 кристаллические&#13;
структуры. Показано, что в этих соединениях при изменении объема решетки происходит&#13;
непрерывный переход от высокоспинового к низкоспиновому состоянию, причем магнитный&#13;
момент атомов марганца оказывается одинаковым при одинаковых объемах. Исходя из результатов&#13;
расчета полной энергии исследуемых систем как функции параметров структурных искажений,&#13;
установлено, что высокоспиновое состояние подавляет структурные искажения, а низкоспиновое&#13;
усиливает их. Показано, что различие кристаллической и магнитной структур арсенида и&#13;
фосфида марганца вызвано только различными объемами решетки, т.е. замена мышьяка фосфором&#13;
эквивалентна наложению внешнего гидростатического давления. Высказано предположение,&#13;
что качественная интерпретация механизма магнитоструктурных переходов в MnAs должна исходить&#13;
из представления о главенствующей роли степени заполнения «антисвязующих» состояний&#13;
коллективизированных носителей магнетизма.; Виходячи з перших принципів, методом FP–LMTO досліджено основний стан арсеніду та&#13;
фосфіду марганцю, що мають гексагональну В8₁ та спотворену ромбічну В31 кристалічні структури.&#13;
Показано, що в цих сполуках при зміні об’єму гратки відбувається безперервний перехід&#13;
від високоспінового до низькоспінового стану, причому магнітний момент атомів марганцю виявля&#13;
ється однаковим при однакових об’ємах. Виходячи з результатів розрахунку повної енергії&#13;
досліджуваних систем як функції параметрів структурних спотворень, з’ясовано, що високосп&#13;
іновий стан пригнічує структурні викрівлення, а низькоспіновий підсилює їх. Показано, що&#13;
розходження кристалічної і магнітної структур арсеніду та фосфіду марганцю викликано тільки&#13;
різними об’ємами ґратки, тобто заміна миш’яку фосфором еквівалентна накладенню зовнішнього&#13;
гідростатичного тиску. Висловлено припущення, що якісна інтерпретація механізму магнітоструктурних&#13;
переходів у MnAs повинна виходити з уявлення про провідну роль ступеня заповнення&#13;
«антизв’язуючих» станів колективізованих носіїв магнетизму.; The abinitio FP–LMTO method was used to&#13;
investigate the ground state of manganese arsenide&#13;
and phosphide of hexagonal B8₁ and distorted&#13;
rhombic B31 crystal structures. It is&#13;
shown that as the volume of the lattice is&#13;
changed in these compounds there occurs a continuous&#13;
transition from the high-spin state to a&#13;
low-spin one, and the magnetic moment of the&#13;
manganese atoms turns out to be the same for&#13;
equal volumes. Based on the calculated results&#13;
of the total energy of the systems in question as&#13;
a function of parameters of structure distortions,&#13;
it has been revealed that the high-spin state&#13;
suppresses the structure distortions, while the&#13;
low-spin one enhances them. It is also shown&#13;
that the difference in crystal and magnetic structures&#13;
of manganese arsenide and phosphide is&#13;
solely due to the difference in volumes of the&#13;
lattices (i.e. the substitution of arsenic by phosphorus&#13;
is equivalen to the application of external&#13;
hydrostatic pressure). It is supposed that the&#13;
qualitative interpretation of the mechanism of&#13;
magnetostructural transitions in MnAs should be&#13;
based on the idea of dominating role of the occupancy&#13;
of «antibonding» states of itinerant carriers&#13;
of magnetism.
</summary>
<dc:date>2005-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
