http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/117380 2026-04-15T05:00:34Z 2026-04-15T05:00:34Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120501 2017-06-13T00:03:34Z 2006-01-01T00:00:00Z

Валентин Григорьевич Песчанский (К 75-летию со дня рождения)

2006-01-01T00:00:00Z Кушнир, Л. Шикин, В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120500 2017-06-13T00:06:19Z 2006-01-01T00:00:00Z

Об устойчивости заряженной поверхности жидкого диэлектрика Кушнир, Л.; Шикин, В. Предложена теория возникновения неустойчивости границы двух жидких диэлектриков при наличии внешнего электрического поля, нормального этой границе. Исследованы детали критических условий неустойчивости в функции от внешних параметров задачи: отношения ε = ε₁/ε₂ диэлектрических постоянных двух сред с ε₁ и ε₂, толщины жидких пленок, находящихся в контакте, и.т.д. В частности, отмечена качественная разница в структуре возникающей гофрировки жидкой границы при изменении ε. В случае конечных значений ε критический период гофрировки остается конечным. Если же ε→ 0 (что соответствует бесконечной проводимости одной из сред), период гофрировки также неограниченно возрастает. Продемонстрирована возможность реконструкции жидкой границы в закритических условиях (возникновение механически равновесной гофрировки жидкой границы, амплитуда которой зависит от степени надкритичности, т.е. превышения электрического поля над критическим). Указано на существование двух режимов реконструкции: мягкого и жесткого, реализуемых при определенных соотношениях между внешними параметрами задачи. Обсуждаются детали «мягкой» реконструкции, где используемый формализм имеет реальную область применимости. Отмечено, что манипуляции с параметром ε = ε₁/ε₂ в обсуждаемой проблеме качественно эквивалентны варьированию степени заселенности δ поверхности криогенной жидкости заряженными частицами (электронами или ионами) от ее нулевого значения (случай свободной от зарядов поверхности жидкости) до ее максимального значения δ-1, когда общая задача дает ответы, характерные для развития неустойчивости свободной границы металлической жидкости.; Запропоновано теорію виникнення нестійкості границі двох рідких діелектриків при наявності зовнішнього електричного поля, нормального цій границі. Досліджено деталі критичних умов нестійкості у функції від зовнішніх параметрів задачі: відношенняε = ε₁/ε₂ діелектричних постійних двох середовищ з ε₁ і ε₂, товщини рідких плівок, що знаходяться в контакті, і т.д. Зокрема, відзначено якісну різницю в структурі виникаючої гофровки рідкої границі при зміні ε. У випадку кінцевих значень ε критичний період гофровки залишається кінцевим. Якщо ж ε→ 0 (що відповідає нескінченній провідності одного із середовищ), період гофровки також необмежено зростає. Продемонстровано можливість реконструкції рідкої границі в закритичних умовах (виникнення механічно рівноважної гофровки рідкої границі, амплітуда якої залежить від ступеня надкритичності, тобто перевищення електричного поля над критичним). Зазначено на існування двох режимів реконструкції: м’якого і твердого, які реалізуються при визначених співвідношеннях між зовнішніми параметрами задачі. Обговорюються деталі «м’якої» реконструкції, де використовуваний формалізм має реальну область застосовності. Відзначено, що маніпуляції з параметромε = ε₁/ε₂ в обговорюваній проблемі якісно еквівалентні варіюванню ступеня заселеності δ поверхні криогенної рідини зарядженими частками (електронами чи іонами) від її нульового значення (випадок вільної від зарядів поверхні рідини) до її максимального значення δ-1, коли загальна задача дає відповіді, характерні для розвитку нестійкості вільної границі металевої рідини.; Two liquid dielectrics interface normal to external electric field is investigated. The origin of instability of this system for different parameters (such as ratio of permittivity of two media, thickness of liquid films etc.) is described. A mechanically equilibrium state of the curved interface under supercritical circumstances may occur. The period of deformation appeared crucially depends on the value of ε and tends to infinity when ε→ 0 (which corresponds to the infinite conductivity of one of the media). The amplitude of this corrugation depends on supercriticality of electric field (the difference between actual and critical values). We highlight two different ways of the interface curving process — «smooth» and «tough» ones (for details see equation (30) and the comments) which appear under particular correlation between the external parameters. The method used is applicable only if the «smooth» case takes place. It is mentioned that the manipulations with the parameter ε = ε₁/ε₂ in the problem under consideration are equivalent to the variation of charged particles occupancy degree δ of the cryogenic liquid surface. The maximum value δ-1 corresponds to the case of free surface of conductive liquid.

2006-01-01T00:00:00Z Бакай, А.С. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120355 2017-06-12T00:05:44Z 2006-01-01T00:00:00Z

О низкотемпературных полиаморфных превращениях Бакай, А.С. В рамках модели гетерофазных флуктуаций построена теория полиаморфных превращений в стекле с учетом того, что стекло наследует ближний и промежуточный порядок жидкости. Введены многокомпонентный параметр порядка, описывающий концентрации флуктуонов с различными типами ближнего порядка, а также понятия изоконфигурационного и неизоконфигурационного перехода в стекле. Учет неэргодичности, неравновесности и множественности структурных состояний стекла приводит к кинетическому критерию наблюдения полиаморфизма стекла. В качестве примера построена теория низкотемпературного фазового перехода первого рода в ориентационном стекле на основе допированного фуллерита. Описаны релаксационные процессы этой системы, включая подсистему туннелирующих состояний. Обсуждается возможность непрерывных полиаморфных превращений в стекле.; У рамках моделі гетерофазних флуктуацій побудовано теорію поліаморфних перетворень у склі з урахуванням того, що скло успадковує ближній та проміжний порядок рідини. Введено багатокомпонентний параметр порядку, який описує концентрації флуктуонів з різними типами ближнього порядку, а також поняття ізоконфігураційного і неізоконфігураційного переходу у склі. Урахування неергодичності, нерівноважності і множинності структурних станів скла призводить до кінетичного критерію спостереження поліаморфізму скла. Як приклад побудовано теорію низькотемпературного фазового переходу першого роду в орієнтаційному склі на основі допованого фулериту. Описано релаксаційні процеси цієї системи, включаючи підсистему тунелюючих станів. Обговорюється можливість неперервних поліаморфних перетворень у склі.; In the framework of heterophase fluctuation model a theory of polyamorphous transformations in glasses is developed with taking into account that glass inherits short-range and medium-range orders of liquid. A multicomponent order parameter which describes the fractions of fluctuons of different short-range order types is determined. Isoconfigurational and non-isoconfigurational phase transitions in glasses are defined. Taking into account non-ergodicity, non-equilibrium and multiplicity of structural states of glass, a kinetic constrain of polyamorphous transformation observability is formulated. As an example, a theory of low-temperature polyamorphous transition in doped fullerite based orientational glass is developed. The relaxation processes in this system, including a subsystem of tunneling states, are described. A possibility of continuous polyamorp.

2006-01-01T00:00:00Z Циовкин, Ю.Ю. Волошинский, А.Н. Гапонцев, В.В. Устинов, В.В. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/120354 2017-06-12T00:05:50Z 2006-01-01T00:00:00Z

Tеория остаточного электросопротивления разбавленных сплавов немагнитных 3d–5d переходных металлов Циовкин, Ю.Ю.; Волошинский, А.Н.; Гапонцев, В.В.; Устинов, В.В. Методом кинетического уравнения с учетом двухполосного характера проводимости при малой концентрации примеси выполнен расчет остаточного электросопротивления разбавленных сплавов немагнитных переходных металлов. Показано, что для всех разбавленных немагнитных бинарных сплавов типа замещения значения остаточного электросопротивления являются линейной функцией квадрата модуля недиагонального s—d матричного элемента T-матрицы рассеяния.; Методом кінетичного рівняння з урахуванням двосмугового характеру провідності при малій концентрації домішки виконано розрахунок залишкового електроопору розбавлених сплавів немагнітних перехідних металів. Показано, що для всіх розбавлених немагнітних бінарних сплавів типу заміщення значення залишкового электроопору є лінійною функцією квадрата модуля недіагонального s—d матричного елемента T-матриці розсіювання.; The residual electrical resistivity values for dilute alloys of nonmagnetic transition metals were calculated using the kinetic equation method with account for the two-band conductivity model in the approximation of low impurity concentration. It is shown that for all nonmagnetic dilute binary substitutional alloys of transition metals the reduced residual electrical resistivity is a linear function of the squared nondiagonal element of the scattering T-matrix modulus.

2006-01-01T00:00:00Z