Физика низких температур, 2008, № 06

Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа

2017-05-19T00:03:41Z

Влияние гибридизации примесных электронных состояний на квантовые магнитоосцилляционные явления в селениде ртути с примесями железа Альшанский, Г.А.; Говоркова, Т.Е.; Окулов, В.И.; Королев, А.В.; Паранчич, С.Ю. Проведено экспериментальное исследование концентрационных зависимостей параметров квантовых осцилляций Шубникова–де Гааза и де Гааза–ван Альфена в кристаллах селенида ртути с примесями железа в условиях, когда донорный резонансный уровень энергии примесей попадает в полосу проводимости и происходит гибридизация электронных состояний. В полученных концентрационных зависимостях температуры Дингла и g-фактора электронов обнаружены минимумы, коррелирующие по своему положению с максимумом электронной подвижности. Показано, что наблюдаемые аномалии можно объяснить на основе развитой ранее теории эффектов гибридизации.; Проведено експериментальне дослідження концентраційних залежностей параметрів квантових осциляцій Шубнікова–де Гааза і де Гааза–ван Альфена в кристалах селеніда ртуті з домішками заліза в умовах, коли донорний резонансний рівень енергії домішок потрапляє в смугу провідності та відбува ється гібридизація електронних станів. У отриманих концентраційних залежностях температури Дінгла і g-фактора електронів виявлено мінімуми, що корелюють по своєму положенню з максимумом електронної рухливості. Показано, що аномалії, які спостерігаються, можна пояснити на основі розвинено ї раніше теорії ефектів гібридизації; The concentration dependences of the parameters of Shubnikov–de Haas and de Haas–van Alphen quantum oscillations were experimentally studied under conditions, where the donor level falls within the conduction band, resulting in hybridization of electronic states. The dependences of Dingle temperature and g-factor of electrons reveal minima that correlate in their position with the maximum of electron mobility. It is shown that the anomalies observed can be explained using the theory of hybridization effects.

Фотолюминесценция монокристаллов C₆₀, интекалированных молекулярным водородом

2017-05-19T00:02:37Z

Фотолюминесценция монокристаллов C₆₀, интекалированных молекулярным водородом Зиновьев, П.В.; Зорянский, В.Н.; Силаева, Н.Б. С помощью фотолюминесцентных исследований в температурном интервале 10–230 К изучены оптические свойства монокристаллов С₆₀, интеркалированных молекулярным водородом. Интеркаляция осуществлялась при температуре 240 °С и давлении 30 атм в течение 200 ч. Наблюдаемый при температуре 10 К спектр излучения фуллерита с примесью молекул водорода, начало которого смещено в низкоэнергетическую область (1,69 эВ), содержит неоднородно уширенные полосы. Анализ температурных исследований спектров фотолюминесценции позволил впервые обнаружить независимость интегральной интенсивности излучения от температуры в диапазоне 10–150 К. Высказано предположение, что изменения фотолюминесцентных свойств фуллерита связаны с сильным влиянием примесных молекул водорода на формирование состояния ориентационного стекла.; За допомогою фотолюмінесцентних досліджень в температурному інтервалі 10–230 К вивчено оптичні властивості монокристалів С₆₀, інтеркальованих молекулярним воднем. Інтеркаляція здійснювалася при температурі 240 °C і тиску 30 атм протягом 200 г. Спектр випромінювання фулерита із домішкою молекул водню, що спостерігається при температурі 10 К, початок якого зсунутий в низькоенергетичну область (1,69 еВ), містить неоднорідно розширені смуги. Аналіз температурних досл іджень спектрів фотолюмінесценції дозволив уперше виявити незалежність інтегральної інтенсивност і випромінювання від температури в діапазоні 10–150 К. Висловлено припущення, що зміни фотолюмінесцентних властивостей фулерита пов’язані з сильним впливом домішкових молекул водню на формування стану орієнтаційного скла.; The optical properties of hydrogen-intercalated C₆₀ single crystals at temperatures ranged from 10 to 230 K were studied by using the photoluminescent method. The intercalation was performed for 200 h at a temperature of 240 °C and a pressure up to 30 atm. The photoluminescence spectrum of fullerite with molecular hydrogen impurities observed at 10 K contains inhomogeneously broadened bands. The origin of photoluminescence is shifted towards a low-energy region (1,69 eV). Analysis of the photoluminescence spectra as a function of temperature demonstrates for the first time that the emission integral intensity is independent of temperature in a range of 10 to 150 K. It is suggested that the changes in the photoluminescence properties of fullerite are associated with the pronounced effect of molecular hydrogen impurities on the formation of an orientational glass state.

Динамические характеристики адсорбентов гелия. Влияние условий теплоотвода

2017-05-19T00:02:48Z

Динамические характеристики адсорбентов гелия. Влияние условий теплоотвода Щербаченко, Р.И.; Григорьев, В.Н. Изучены статические и динамические характеристики адсорбента СКН-1К при 4,2 К в условиях, соответствующих работе адсорбционных насосов в рефрижераторах растворения. Показано, что приклеивание адсорбента к охлажденной поверхности приводит к существенному понижению давления в насосе в динамическом режиме. На основе экспериментальных данных для приклеенного и свободного адсорбента произведена оценка гидродинамического вклада в давление, обусловленное сопротивлением пор адсорбента. Оценка находится в пределах погрешности измерений.; Вивчено статичні та динамічні характеристики адсорбенту СКН-1К при 4,2 К в умовах, що відповідають роботі адсорбційних насосів у рефрижераторах розчинення. Показано, що приклеювання адсорбенту до охолодженої поверхні призводить до істотного зниження тиску у насосі в динам ічному режимі. На основі експериментальних даних щодо приклеєного і вільного адсорбентів зроблено оцінку гідродинамічного внеску до тиску, що обумовлено опором пор адсорбенту. Оцінка знаходиться в межах похибки вимірювань.; The static and dynamic characteristics of adsorbent SKN-1K are studied at 4.2 K in conditions corresponding to the adsorption pumping in dilution refrigerators. It is shown that gluing the adsorbent to the cooled surface decreases essentially the pressure in the dynamic regime of the pump. Using the experimental data of glued and free adsorbent, the estimation is made for hydrodynamic contribution in the pressure due to resistance of adsorbent pores, demonstrating that contribution to be within accuracy of measurement.

Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄

2017-05-19T00:02:47Z

Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ Милославский, В.К.; Юнакова, О.Н.; Коваленко, Е.Н. Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз.; Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками низькотемпературних фаз.; The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures 90–290 K. It is established, that the compound qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency exciton excitations are located in the ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the temperature behavior of spectral position and halfwidth of the low frequency exciton band shows the effects of thermal memory caused by the predecessors of low-temperature phases