http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/114807 2026-04-09T01:25:35Z 2026-04-09T01:25:35Z Bratchenko, M.I. Dyuldya, S.V. Bakai, A.S. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119771 2017-06-09T00:03:58Z 2009-01-01T00:00:00Z

Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals Bratchenko, M.I.; Dyuldya, S.V.; Bakai, A.S. New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between random-like and channeled modes of motion on the target depth dependencies of dopant concentration. They also incorporate a simple model of the target radiation damaging effect on doping profiles. The presented results of model validation against the experimental and Monte Carlo computer simulation data and the comparative analysis of the capabilities of the proposed and the existing models show that the application of a more physically grounded approach allows us to improve the quality of doping profile description. The theoretical models developed are useful for obtaining physical parameters of low-energy ion channeling kinetics from the experimental data.; Запропоновано новi феноменологiчнi моделi опису впливу впорядкованої структури кристалiчної ґратки мiшеней на профiлi iмплантацiї низькоенергетичних важких iонiв. Моделi враховують кiнетику каналювання та проясняють вплив двобiчних переходiв iонiв мiж хаотичним та канальованим режимами руху на залежностi концентрацiї домiшки вiд глибини занурення у мiшень. Вони також мiстять в собi просту модель впливу радiацiйного пошкодження мiшенi на профiлi занурення. Представленi результати верифiкацiї моделей на експериментальних даних та даних комп’ютерного моделювання методом Монте-Карло поруч iз порiвняльним аналiзом можливостей запропонованих та iснуючих моделей показали, що застосування бiльш фiзично обґрунтованого пiдходу дозволяє покращити опис профiлiв iмплантацiї. Використовуючи запропонованi теоретичнi моделi, можна одержати з аналiзу експериментальних даних фiзичнi параметри кiнетики каналювання iонiв низьких енергiй.

2009-01-01T00:00:00Z Lytvynenko, D.M. Slyusarenko, Yu.V. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119770 2017-06-09T00:04:49Z 2009-01-01T00:00:00Z

On equilibrium charge distribution above dielectric surface Lytvynenko, D.M.; Slyusarenko, Yu.V. The problem of the equilibrium state of the charged many-particle system above dielectric surface is formulated. We consider the case of the presence of the external attractive pressing field and the case of its absence. The equilibrium distributions of charges and the electric field, which is generated by these charges in the system in the case of ideally plane dielectric surface, are obtained. The solution of electrostatic equations of the system under consideration in case of small spatial heterogeneities caused by the dielectric surface, is also obtained. These spatial inhomogeneities can be caused both by the inhomogeneities of the surface and by the inhomogeneous charge distribution upon it. In particular, the case of the wavy spatially periodic surface is considered taking into account the possible presence of the surface charges.; Сформульовано задачу про рiвноважний стан системи багатьох заряджених частинок над поверхнею дiелектрику як у присутностi зовнiшнього притягувального електричного поля, так i при його вiдсутностi. Отримано рiвноважнi розподiли зарядiв та електричного поля, що виникає завдяки цим зарядам, у випадку iдеально плоскої поверхнi дiелектрику. Також отриманi розв’язки рiвнянь електростатики для дослiджуванної системи у випадку малих просторових неоднорiдностей, пов’язаних iз поверхнею дiелектрику. Вiдмiченi просторовi неоднорiдностi можуть бути пов’язанi як iз неоднорiдностями самої поверхнi, так i з неоднорiдним розподiлом заряду на нiй. Розглянуто також випадок хвилястої, зокрема, просторово-перiодичної поверхнi з урахуванням можливостi iснування на нiй просторових зарядiв.

2009-01-01T00:00:00Z Finkelshtein, D.L. http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119769 2017-06-09T00:02:42Z 2009-01-01T00:00:00Z

Measures on two-component configuration spaces Finkelshtein, D.L. We study the measures on the configuration spaces of particles of two types. Gibbs measures on such spaces are described. Main properties of corresponding relative energy densities and correlation functions are considered. In particular, we show that a support set for such Gibbs measure is the set of pairs of non-intersected configurations.; Ми вивчаємо мiри на просторах конфiгурацiй двох типiв. Описано гiбсовськi мiри на таких просторах. Розглянуто основнi властивостi вiдносних енергiй та кореляцiйних функцiй. Зокрема, показано, що такi гiбсовськi мри зосередженi на парах конфiгурацiй, якi не перетинаються.

2009-01-01T00:00:00Z http://dspace.nbuv.gov.ua:80/handle/123456789/119768 2017-06-09T00:03:37Z 2009-01-01T00:00:00Z

Editorial

2009-01-01T00:00:00Z