Формування гетерофазних наноструктур на основі селеніду індію, їх фізичні властивості та можливості практичного застосування

Abstract

Отримано наноструктури селеніду індію, з включенням нанопрошарків нітриду натрію та наступним заміщенням їх на електроактивні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості,тангенса кута втрат та параметрів домішкового енергетичного спектру

Получены наноструктуры селенида индия, с включением нанослоев нитрида натрия и последующим замещением их на электроактивные полимерные прослойки. Проанализировано изменение частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса угла потерь и параметров примесного энергетического спектра.

In Se nanostructures with NaNO2 nanolayers impurities and their sequent substitution by electroactive polymer layers were obtained. The variation of frequency dependence of the specific resistance, the permittivity, the tangent of loss angle and impurity energetic spectrum parameters has been studied.