Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2009
→
Вопросы атомной науки и техники, 2009, № 5
→
Переглянути статтю

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Dovbnya, A.N. ; Yefimov, V.P. ; Abyzov, A.S. ; Rybka, A.V. ; Zakutin, V.V. ; Reshetnyak, N.G. ; Blinkin, A.A. ; Romas’ko, V.P.

Інші назви: Методика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням
Методика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучением

Тема: Ядернo-физические методы и обработка данных

Інший ID: PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96509

Посилання: Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Дата: 2009

Завантажень: 383

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Анотація:

Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented.

Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур.

Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.

Показати повний запис статті