Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення
δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка
зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та
самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення
проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора.
Теоретически рассмотрено явление дегибридизации для интерметаллических изоструктурних соединений ряда RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показана физическая природа возникновения δ-образного пика, величина которого пропорциональна количеству узлов
(N), образованных структурными элементами R−Si. По сравнению с единичной примесью
величина δ-образного пика возрастает в N раз. Это обусловлено тем, что орбитали R−Si
играют роль электронных дефектов, периодически расположенных в пределах всей кристаллической решетки. Проведенные экспериментальные и теоретические исследования показали высокую степень корреляции и самосогласованности, что позволяет рассматривать
атомные связи R−Si как своеобразные электронные дефекты, сильно возмущающие электронную систему соединений ряда RAl₂Si₂. Такое возмущение проявляется в возникновении интенсивных резонансных пиков электронных состояний, формирующихся в валентной
зоне изучаемых интерметаллидов в результате действия дегибридизационного фактора.
The theoretical consideration of the dehybridization phenomenon for intermetallic isostructural
compounds of the RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical
nature of the occasion of a δ-like hump, value of which is proportional to the number of lattice
sites N formed by R−Si structural elements, is clarified. In comparison with a single admixture,
the value of δ-like hump is more by N times. This is caused by that the orbitals R−Si play the
role of electronic defects, which are periodically located in the frame of the crystal. The performed
theoretical and experimental investigations show a great degree of correlation and self-consistency.
This gives possibility to view R−Si bonds as specific electronic defects, which strongly perturb the
electronic system of RAl₂Si₂ compounds. Such perturbation is displayed in arising the intense
resonance humps of electronic states, which are formed in the valence zone of the intermetallids
under study as a result of the dehybridization factor action.
