Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках

Домашня сторінка
→
Загальнонаукова періодика
→
Доповіді Національної академії наук України
→
Доповіді НАН України, 2009
→
Доповіді НАН України, 2009, № 06
→
Переглянути статтю

Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках

Шпак, А.П. ; Покутній, С.І. ; Уваров, В.М. ; Покутній, М.С.

Інші назви: Binding energy of an exciton in semiconductor quantum dots

Тема: Фізика

УДК: 535.34

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/8653

Посилання: Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках / А.П. Шпак, С. I. Покутнiй, В.М. Уваров, М.С. Покутнiй // Доп. НАН України. — 2009. — № 6. — С. 90-94. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Дата: 2009

Завантажень: 438

Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках

Анотація:

Виявлено ефект значного збiльшення енергiї зв’язку екситона Eex(a) в квантових точках (КТ) селенiду та сульфiду кадмiю з радiусами a, сумiрними з борiвськими радiусами екситону aex, у 7,4 та 4,5 разiв вiдповiдно, порiвняно з енергiєю зв’язку екситону у монокристалах CdSe та CdS.

The effect of a substantial increase of the binding energy of an exciton Eex(a) in quantum dots made of CdSe and CdS with radii a ≈ aex (by 7.4 and 4.5 times, respectively) in comparison with the binding energy of an exciton in monocrystals of CdSe and CdS is found out.

Показати повний запис статті