Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films

Abstract

The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development.

Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу виникнення режиму пробою.

Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка, большая по величине порога возникновения режима пробоя.