Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2014
→
Вопросы атомной науки и техники, 2014, № 1
→
Переглянути статтю

Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

Глушко, П.И. ; Журавлёв, А.Ю. ; Капустин, В.Л. ; Левенец, В.В. ; Семенов, Н.А. ; Хованский, Н.А. ; Шеремет, В.И. ; Широков, Б.М. ; Шиян, А.В.

Інші назви: Сублімаційне джерело для нанесення епітаксійних Si-Ge-плівок
Sublimation source for application the epitaxial Si-Ge films

Тема: Физика и технология конструкционных материалов

УДК: 669.094.54:661.87.621:661.668

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79936

Посилання: Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, В.Л. Капустин, В.В. Левенец, Н.А. Семенов, Н.А. Хованский, В.И. Шеремет, Б.М. Широков, А.В. Шиян // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 167-169. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Дата: 2014

Завантажень: 336

Сублимационный источник для нанесения эпитаксиальных Si-Ge-плёнок

Анотація:

Разработан и изготовлен сублимационный источник атомов для нанесения плёнок методом молекулярно- лучевой эпитаксии. С использованием сублимационного источника получены эпитаксиальные кремний- германиевые пленки с различным содержанием германия.

Розроблено і виготовлено сублімаційне джерело атомів для нанесення плівок методом молекулярно- променевої епітаксії. З використанням сублімаційного джерела отримано епітаксійні кремній-германієві плівки з різним вмістом германію.

The atom sublimation source for application the films by molecular beam epitaxy method is developed and made. The epitaxial silicon-germanium films with different germanium content were obtained with the help of sublimation source.

Показати повний запис статті