Досліджено вплив атомарного водню на параметри тонких металевих плівок Ag, Cu, Ni (15—200 нм), нанесених термічним випаровуванням на діелектричні підложжя. Оброблення виконувалося за температур 300—310 К, тиску ∼ 20 Па і концентрації атомарного водню 10¹⁷—10¹⁹ м⁻³. Виявлено і досліджено кінетику зміни морфології поверхні, роботи виходу та електропровідности тонких металевих плівок. Представлено фізичне обґрунтування спостережуваним явищам, визначено фактори, що впливають на характер та кінетику зміни електрофізичних параметрів тонких плівок.
An influence of the atomic hydrogen on the thin films of Ag, Cu, Ni (of 15—200 nm thickness) deposited by thermal evaporation in vacuum on dielectric substrates is studied. Experiments are carried out at temperatures of 300—310 K, pressure of about 20 Pa, and the atomic hydrogen concentrations of 10¹⁷—10¹⁹ m⁻³. Kinetics of surface morphology change, work function and conductivity of thin metallic films are revealed and investigated. The mechanism explaining the results obtained is proposed. Factors, which influence on character and kinetics of change of electrophysical parameters of thin films, are revealed.
Исследовано воздействие атомарного водорода на параметры тонких металлических пленок Ag, Cu, Ni (15—200 нм), нанесенных термическим испарением на диэлектрик. Обработка проводилась при температуре 300—310 К, давлении ∼ 20 Па и концентрации атомарного водорода 10¹⁷—10¹⁹ м⁻³. Выявлены и исследованы кинетика изменения морфологии поверхности, работы выхода и электропроводимости тонких металлических пленок. Предложен физический механизм, объясняющий результаты исследования. Выявлены факторы, влияющие на характер и кинетику изменения электрофизических параметров тонких пленок.
