Встановлено вплив температури гомогенізації та швидкости охолодження розтопу на процеси неізотермічної кристалізації склоподібного Se і природу фаз, які утворюються в його матриці. Визначено характеристичні температури теплових ефектів, розраховано енергії активації кристалізації Ес. Показано, що величина енергії активації кристалізації визначається ступенем полімеризації молекуль Sen, концентраціями молекуль Se₈, пар із змінною валентністю та ланцюжкових молекуль, які знаходяться в трансположеннях. Кристалізація аморфних плівок селену супроводжується різким зменшенням пропускання. Встановлено, що розміри кристалічних включень і величина оптичного пропускання визначаються
термочасовими режимами відпалу.
The effect of homogenization temperature and the melt cooling rate on the processes of non-isothermal crystallization of glassy Se and on the nature of phases formed in its matrix is revealed. The characteristic temperatures of thermal effects and activation energy of crystallization Ec are determined. As shown, the Ес value is determined by the polymerization index of Sen molecules, the concentrations of Sе₈ molecules, pairs with the variable valence, and chain molecules in the transconfiguration positions. Crystallization of selenium amorphous films is accompanied by a sharp decrease of their transmission. As revealed, the size of crystalline inclusions and the value of optical
transmission are determined by the temperature and time annealing modes.
Установлено влияние температуры гомогенизации и скорости охлаждения расплава на процессы неизотермической кристаллизации стеклообразного Se и природу фаз, образующихся при этом в его матрице. Определены характеристические температуры тепловых эффектов, рассчитаны энергии активации кристаллизации Ес. Показано, что величина Ес определяется степенью полимеризации молекул Sen, концентрациями молекул Se₈, пар с переменной валентностью и цепочечных молекул, находящихся в трансположениях. Кристаллизация аморфных пленок селена сопровождается резким уменьшением пропускания. Установлено, что размеры кристаллических включений и величина оптического пропускания определяются термовременными режимами отжига.