Фазовые переходы в магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2 при гидростатических давлениях до 9 GPa

Abstract

Измерена температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла при атмосферном давлении в температурном интервале 77–420 K на новых магнитных полупроводниках Cd1−xMnxGeAs2 с различным содержанием марганца (х = 0.06 и 0.18). По барическим зависимостям удельного электросопротивления ρ и коэффициента Холла RH обнаружены структурные фазовые переходы на образцах Cd1−xMnxGeAs2 и Cd1−xCrxGeAs2. Из зависимостей ρ(Т) и RH(Т) рассчитаны механизмы рассеяния носителей при атмосферном давлении. В области комнатных температур по зависимостям ρ(P) и RH(P) определены характеристические точки и параметры фазового превращения, динамика изменения фазового состава от давления.

The temperature dependence of specific resistance and Hall coefficient has been measured at the atmospheric pressure in temperature range 77−420 K on new magnetic semiconductors Cd1−xMnxGeAs2 with different content of manganese (x = 0.06 and 0.18). By the baric dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH there have been revealed the structural phase transition on the samples of Cd1−xMnxGeAs2 and Cd1−xCrxGeAs2. From the ρ(T) and RH(T) dependences the mechanisms of the carrier scattering at the atmosphere pressure have been calculated. Characteristic points, parameters of phase transformation, and dynamics of changes in phase composition with pressure have been determined in the region of room temperatures by the ρ(P) and RH(P) dependences.