Як було вiдзначено в роботi [3] для правомiрностi припущення про те, що хiд поляризацiйних залежностей терагерцового випромiнювання гарячими електронами з n-Ge визначається типом розсiювання носiїв, необхiдно провести температурнi вимiри цiєї залежностi вiд температур, де превалює розсiювання на домiшках, до температур, де превалює розсiювання на акустичних коливаннях ґратки. У данiй роботi наведено результати таких дослiджень.
As was noted in [3], in order to verify the assumption that the behavior of the polarization dependences of the terahertz emission by hot electrons from n-Ge is determined by the type of carrier scattering, it is necessary to perform temperature measurements of this dependence in the range between the temperatures, where the scattering is determined by impurities and by acoustic lattice vibrations, respectiv
Как было отмечено в работе [3], для правомерности предположения о том, что ход поляризационных зависимостей терагерцового излучения горячими электронами с n-Ge определяется типом рассеяния носителей, необходимо провести температурные измерения этой зависимости от температур, где превалирует рассеяние на примесях, до температур, где преобладает рассеяние на акустических колебаниях решетки. В данной работе приведены результаты таких исследований.