Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Abstract

Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.