Acceleration of electron bunches using periodic dielectric structures with and without coating

Abstract

The numerical studies of high acceleration gradients obtaining for the dielectric laser accelerators (DLA) based on-chip structures with one-sided laser excitation at a wavelength of 800 nm are presented. The electron flight heights of 200 and 400 nm over a structure are presented. The influence of the geometric parameters of the structures on the acceleration gradients was also investigated. A study of changes in the acceleration gradients of structures, when applying a gold coating on these types of structures, has been carried out.

Представлено дослідження темпів прискорення методом чисельного моделювання для діелектричних лазерних прискорювачів на ЧІП-структурах із одностороннім лазерним збудженням на довжині хвилі 800 нм. Відстань пучка електронів 200 та 400 нм. Також досліджено вплив геометричних параметрів структур на темпи прискорення. Проведено дослідження зміни градієнтів прискорення структур при нанесенні золотого покриття на дані типи структур.

Представлено исследование темпов ускорения методом численного моделирования для диэлектрических лазерных ускорителей на ЧИП-структурах с односторонним лазерным возбуждением на длине волны 800 нм. Расстояние пучка электронов 200 и 400 нм. Также исследовано влияние геометрических параметров структур на темпы ускорения. Проведено исследование изменения градиентов ускорения структур, при нанесении золотого покрытия на данные типы структур.