Термодинаміка власних точкових дефектів і область гомогенності моносульфіду самарію

Abstract

Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки.

Проведен расчет концентраций точечных дефектов и свободных носителей заряда в металлической и полупроводниковой фазе монокристаллического моносульфида самария, находящегося в равновесии с паром металла. Определена температурная зависимость линии солидуса со стороны избытка металла и установлен преобладающий тип дефектов на границе области гомогенности соединения.

The calculation of the concentration of point defects and free charge carriers in metallic and semiconductor single-crystal phase samarium monosulfid, which is in equilibrium with a pair of metal. The temperature dependence of the solidus line of the excess metal and found predominant type of defects on the edge of the homogeneity compounds.