Досліджено кінетику ізотермічного (600—850 °С) окиснення порошків твердого розчину Cu₁₋ₓGaₓ. Показано, що в залежності від температури (T) та вмісту в сплаві галію (с) швидкість окиснення (k) може бути описана виразом: k = k₀exp(–0.6751c/R)exp(–(E₀+2093c)/RT). Окиснення порошків твердого розчину Cu₁₋ₓGaₓ, кінцевими продуктами якого є CuO та CuGa₂O₄, здійснюється на центрах, які з часом активуються згідно з експоненційним законом. Галій, який суттєво знижує швидкість окиснення міді (k), можна розглядати як ефективний інгібітор корозії мідних сплавів.
Исследована кинетика изотермического (600—850 °С) окисления порошков твердого раствора Cu₁₋ₓGaₓ. Показано, что в зависимости от температуры (T) и содержания в сплаве галлия (с) скорость окисления (k) можно представить как k = k₀exp(–0.6751c/R)×exp(–(E₀+2093c)/RT). Окисление порошков твердого раствора Cu₁₋ₓGaₓ происходит на активирующихся по экспоненциальному закону центрах. Конечными продуктами окисления являются CuO и CuGa₂O₄. Галлий, существенно понижающий скорость окисления меди, можно рассматривать как эффективный ингибитор коррозии медных сплавов.
The isothermal (600—850 °С) kinetics of the Cu₁₋ₓGaₓ solid solution powders were studied. It was shown that depending on the temperature (T) and gallium content (c) oxidation rate (k) should be presented as: k = k₀exp(–0.6751c/R)exp(–(E₀+2093c)/RT). The oxidation process of the Cu₁₋ₓGaₓ solid solution powders could be described within the random nucleation model. CuO and CuGa₂O₄ compounds are the end products of this process. It was shown that oxidation rates of the Cu₁₋ₓGaₓ alloys within the increase of Ga-content essentially decrease. So, gallium is the effective corrosion inhibitor for copper alloys.