Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации

Abstract

Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров.

Розроблено метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації на основі використання принципів роботи молекулярних систем нейрона та його ядерних компонентів — ДНК і РНК. Запропоновано модель передачі імпульсів між синапсами і структурами нейронів у процесі зміни порога чутливості нейрона в залежності від величини струму. Запропоновані пристрої можуть бути використані як запам’ятовувальні модулі для нанорозмірних сенсорів..

A method is developed to construct memory devices with an ultrahigh density of information recording based on the principles of operation of the neuron molecular systems and its nuclear components, DNA and RNA. A model of impulse transfer between synapses and neuron structures during variation in the neuron sensitivity threshold as a function of current is proposed. The proposed devices can be used as memory modules in nanoscale sensors