Магнитоплазменные волны в инверсионных слоях с локальными состояниями электронов

Abstract

Вычислены спектр и декремент затухания плазменных и магнитоплазменных волн в двумерном электронном газе при низких температурах с учетом локальных состояний электронов на примесных атомах. Показано, что локализация электронов приводит к понижению частоты длинноволновых плазмонов и к перестройке спектра магнитоплазмонов в окрестности резонансных частот переходов электронов между уровнями Ландау и локальными уровнями. В результате максимум плазменного поглощения смешается в область низких частот, а магнитоплазменный максимум расщепляется. Характеристики плазмонов и магнитоплазмонов вычислены для значений параметров инверсионного слоя на границе кремния и двуокиси кремния.

Розраховано спектр та декремент згасання плазмових та магнітоплазмових хвиль у двовимірному електронному газі при низьких температурах з врахуванням локальних станів електронів на домішкових атомах. Показано, що локалізація електронів приводить до зниження частоти довгохвильових плазмонів та до перебудови спектра магнітоплазмонів поблизу частот переходів електронів між рівнями Ландау і локальними рівнями. Характеристики плазмонів і магнітоплазмонів обчислено для значень параметрів інверсійного шару на границі кремнію і двоокису кремнію.

The spectrum and damping of plasma and magnetoplasma waves in two-dimensional electron gas are calculated taking into account the local states of electrons in impurity atoms. It is shown that localization of the electrons leads to a decrease In the long-wave length plasmons frequency and where rebuilding of the magnetoplasmon speitrcinity of the frequencies of the resault transitions between the Landau levels and Iocal levels. As a result the maximum cf plasma absorption shifts towards low frequencies and the magnetoplasma maximum splits. The characteristics of plasmons and magnetoplasmons were calculated for the parameters of the inversion layer at the Silicon-Silicon dioxide boundary.