Магнитные свойства монокристаллов Ba₁₋xKxBiO₃₊y вблизи Tc

Abstract

Обратимая намагниченность и петли гистерезиса выращенных методом электрохимическою осаждения монокристаллов Ba₁₋xKxBiO₃₊y (x = 0,34; 0,37) изучены вблизи Tc . По данным измерений обратимой намагниченности построены температурные зависимости глубины проникновения магнитного поля λ и критическою поля Hc₂ . Зависимости λ(Т) лучше описываются теорией БКШ, нежели двухжидкостной моделью. Наблюдаемый в этих изотропных сверхпроводниках пик-эффект на петлях магнитного гистерезиса связывается с наличием областей со сверхстехиометрическим кислородом. Поведение линии необратимости Hirr(T) для обоих монокристаллов удовлетворительно аппроксимируется моделью крипа потока.

Оборотню намагніченість і петлі гістерезиса вирощених методом електрохімічного осадження монокристалів YBa₂Cu₃O₆₊x (х = 0,34; 0,37) вивчено поблизу Тс . Згідно з даними вимірювання оборотньої намагніченості побудовано температурні залежності глибини проникнення магнітного поля λ і критичного поля Hc₂ . Залежності λ(Т) краще описуються теорією БК, ніж дворідинною моделлю. Спостережуваний в цих ізотропних надпровідниках пік-ефект на петлях магнітного гістерезиса пов'язано з присутністю областей з надстехіометричним киснем. Поведінка лінії необоротності Hirr(T) для обох монокристалів задовільно апроксимується моделлю крипу потоку.

Reversible magnetization and hysteresis loops of the electrochemically grown single crystals of Ba₁₋xKxBiO₃₊y (x = 0,34; 0,37) are studied in the vicinity of Tc . The magnetic penetration depth λ and critical field Hc₂ temperature dependences have been plotted from the measurements of reversible magnetization. The λ(T) dependences can be more adequately described by the BCS theory than by the two-fluid model. The peak effect observed on the magnetic hysteresis loops in the isotropic superconductors is thought to be associated with the areas containing overstoichiometric oxygen. The behavior of irreversibility line Hirr(T) for the both single crystals can be well approximated by a flux creep model.