Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии

Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии

Найдюк, Ю.Г. ; Квитницкая, О.Е. ; Новак, А. ; Янсон, И.К. ; Меновский, А.А.

Інші назви: Anisotropy of microcontact characteristics of URu₂Si₂ in normal state

УДК: 538.9

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175272

Посилання: Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии / Ю.Г. Найдюк, О.Е. Квитницкая, А. Новак, И.К. Янсон, А.А. Меновский // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 3. — С. 310-315. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Підтримка: Работа частично финансировалась из Государственного фонда фундаментальных исследований при Государственном комитете Украины по вопросам науки и технологий и грантом Американского Физического Общества.

Дата: 1995

Завантажень: 164

Анизотропия микроконтактных характеристик URu₂Si₂ в нормальном состоянии

Анотація:

Проведены измерения дифференциального сопротивления DV/DI(V) микроконтактов на основе соединения с тяжелыми фермионами (СТФ) URu₂Si₂ в области температур 1,5-20 К вдоль двух главных кристаллографических направлений.

Проведено вимірювання диференційного опору DV/DI(V) мікроконтактів на основі сполучення з важкими ферміонами (СВФ) URu₂Si₂ в температурному інтервалі 1,5-20 К увздовж двох головних кристалографічних напрямків.

The differential resistance dV/dl(V) of the microcontacts made of a system with heavy fermions (HFS) URu₂Si₂ has been measured in temperature range 1,5-20 K along two principal crystailographic directions.

Показати повний запис статті