Размерный эффект в сопротивлении микроконтакта, содержащего точечные дефекты

Abstract

Теоретически исследовано влияние точечных дефектов на проводимость баллистических микроконтактов. Показано, что размерная зависимость сопротивления R(d) определяется соотношением между диамет­ром контакта d и характерным расстоянием r₀ между примесями. При d <= r₀ величина R(d) чувствительна к пространственному расположению рассеивателей в приконтактной области. Проведено численное моделиро­вание проводимости контакта для случайных реализаций распределения примесей.

Теоретично досліджено вплив точкових дефектів на провідність балістичних мікроконтактів. Показано, що розмірна залежність опору R(d) визначаться співвідношенням між діаметром контакту d та характерним відстанням r₀ між домішками. При d <= r₀ величина R (d ) чутлива до просторового розташування розсіювателі» у приконтактній області. Проведено чисельне моделювання провідності контакту для випадкових реалізацій розподілу домішків.

The effect of point defects on conductivity of ballis­tic point contacts is studied theoretically. It is shown that the size dependence of resistance, R(d) is defined by the ratio between contact diameter (I and impurity-impurity separation r₀. For d <= r₀, the value of R(d) is sensitive to spatial arrangement of stutterers in the near-contact region. Numerical simulation of point contact conductivity is made for a random distribution of impurities.