Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Сверхтвердые материалы
→
Cверхтвердые материалы, 2018
→
Надтверді матеріали, 2018, № 6
→
Переглянути статтю

Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния

Шульженко, А.А. ; Яворска, Л. ; Соколов, А.Н. ; Романко, Л.А. ; Гаргин, В.Г. ; Белявина, Н.Н. ; Ткач, В.Н. ; Закора, А.П.

Інші назви: Structure and Electrophysical Properties of the Diamond–Graphen–Silicon Carbide Composite

Тема: Листи до редакції

УДК: 544.65 : 539.233

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167277

Посилання: Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния / А.А. Шульженко, Л. Яворска, А.Н. Соколов, Л.А. Романко, В.Г. Гаргин, Н.Н. Белявина, В.Н. Ткач, А.П. Закора // Надтверді матеріали. — 2018. — № 6 (236). — С. 92-96. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Дата: 2018

Завантажень: 198

Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния

Анотація:

Изучено влияние добавки n-слойного графена Gn(4) и нанокарбида кремния при спекании в условиях высокого давления и высокой температуры с пропиткой шихты кремнием на структуру и электрофизические свойства алмазного композита.

Вивчено вплив добавки n-шарового графена Gn(4) і нанокарбіда кремнію при спіканні в умовах високого тиску й високої температури з просоченням шихти кремнієм на структуру та електрофізичні властивості алмазного композита.

The effect of the addition of n-layer graphene Gn(4) and silicon nanocarbide on sintering under the conditions of HPNT with impregnation of silicon charge on the structure and electrophysical properties of the diamond composite was studied.

Показати повний запис статті