The results of investigations on degradation effects in the radioelectronics circuitry under the influence of the
high-intensity pulse radiation are given. Analysis of the mechanism of degradation because of shortening the radio
pulse radiation wavelength has been carried out. When the wavelength of the object, exposed to the radiation of a
centimeter range, exceeds the characteristic size of structural elements, the degradation mechanism is conditioned by
the quasi-static effects on the object structure inhomogeneities. The degradation effects manifest themselves in accordance with the concept of a "weak link" and localization damage model. In the case of wavelength shortening,
when the characteristic size of the object structure element becomes commensurable with the wavelength, the resonance effect action is more and more increasing. The degradation redistribution occurs according to the field intensity distribution in the resonant regions. The problem of electromagnetic resistance lowering, under conditions of the
tendency towards the radio electronics circuitry microminiaturization, is discussed.
Наведено результати досліджень деградаційних ефектів елементної бази радіоелектроніки при впливі імпульсного
випромінювання високої інтенсивності. Проведено аналіз механізму деградації при cкороченні довжини хвилі радіоімпульсного випромінювання. Показано, що в умовах впливу випромінювання сантиметрового діапазону, коли довжина
хвилі випромінювання перевищує характерний розмір структурних елементів об'єкта впливу, механізм деградації обумовлюється квазістатичними ефектами на неоднорідностях структури об'єкта. Деградаційні ефекти проявляються відповідно до концепції «слабкої ланки» і локалізаційної моделі ушкоджень. При скороченні довжини хвилі, коли характерний розмір елемента структури об'єкта стає порівняним з довжиною хвилі, все більше починають позначатися резонансні ефекти. При цьому деградації перерозподіляються відповідно до розподілу напруженості поля в резонуючих областях. Обговорюється проблема зниження електромагнітної стійкості в умовах тенденції мікромініатюризації елементної
бази радіоелектроніки.
Приведены результаты исследований деградационных эффектов элементной базы радиоэлектроники при воздействии импульсного излучения высокой интенсивности. Проведен анализ механизма деградаций при укорочении длины
волны радиоимпульсного излучения. Показано, что в условиях воздействия излучения сантиметрового диапазона, когда
длина волны излучения превышает характерный размер структурных элементов объекта воздействия, механизм деградаций обусловливается квазистатическими эффектами на неоднородностях структуры объекта. Деградационные эффекты проявляются в соответствии с концепцией «слабого звена» и локализационной модели повреждений. При укорочении длины волны, когда характерный размер элемента структуры объекта становится соизмерим с длиной волны, все
более начинают сказываться резонансные эффекты. При этом деградации перераспределяются в соответствии с распределением напряженности поля в резонирующих областях. Обсуждается проблема снижения электромагнитной стойкости в условиях тенденции микроминиатюризации элементной базы радиоэлектроники.
