Comparative analysis of special grain boundary joints in polysilicon films with equiaxial and dendritic (undoped and phosphorus-doped) structure, prepared by low-pressure chemical vapor deposition, has been carried out using atomic force microscopy and transmission electron microscopy. The formation mechanisms of special grain boundary joints have been analyzed for different film structures. The effect of phosphorus on formation of grain boundary joints has been analyzed.
Методами атомной силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии проведен сравнительный анализ специальных стыков границ зерен в поликристал-лических пленках кремния с равноосной и дендритной структурой (нелегированных и легированных фосфором), полученных методом химического осаждения из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Рассмотрены механизмы формирования специальных стыков в пленках разных структурных модификаций. Проанализирована роль фосфора в формировании стыков границ зерен.
Методами атомної силової мікроскопії та просвічуючої електронної мікроскопії проведено порівняльний аналіз спеціальних стиків границь зерен та поверхневих неоднорідностей у полікристалічних плівках кремнію з рівноосьовою та дендритною структурою (нелегованих і легованих фосфором), отриманих методом хімічного осадження з газової фази в реакторі зниженого тиску. Розглянуто механізми формування спеціальних стиків у плівках різних структурних модифікацій. Проаналізовано роль фосфору у формуванні стиків границь зерен.