Влияние количества связки из ВН65 на удержание частиц SiC в композите при шлифовании

Abstract

Рассмотрена проблема удержания крупных (125/80 мкм) частиц SiC в композите при его шлифовании мелкозернистым (20/14 мкм) чашечным алмазным кругом. Частички карбида кремния были предварительно покрыты мелкозернистым WC и соответственно обозначены SiС(WС). К полученному порошку было добавлено разное количество 5, 10, 20, 30 (масс %) связки из ВН65, состоящей из 35(масс%) из WC и 65(масс%) из Ni. Полученные порошки были спрессованы и спечены при температуре 1470°С в водороде и выдержке 1 ч. В результате металлографического анализа установлено, что при добавлении 5, 10(масс%) связки из ВН65 зерна при шлифовании не выпадают. При добавлении 20 и 30(масс%) связки из ВН65 наблюдается микроразрушение частиц BH65 при шлифовании.

Розглянуто проблему утримання великих (125/80 мкм) частинок SiC у композиті при його шліфуванні дрібнозернистим (20/14 мкм) чашковим алмазним кругом. Частинки карбіду кремнію були попередньо покриті дрібнозернистим WC і відповідно позначені SiC (WC). До отриманого порошку було додано різну кількість 5, 10, 20, ЗО (мас. %) зв'язки з ВН65, що складається з 35(мас%) з WC і 65(мас%) з Ni. Отримані порошки було спресовано і спечено при температурі 1470°С у водні та витримуванні протягом 1 год. У результаті металографічного аналізу встановлено, що при додаванні 5, 10 (мас%) зв'язки з ВН65 зерна при шліфуванні не випадають. При додаванні 20, ЗО (масНо) зв'язки з ВН65 спостерігається мікроруйнування частинок SiC при шліфуванні.

The problem of keeping large 125/80 mkm SiC grains in the composite in the process of hard -grinding by cup diamond wheel, graine size of wheel was up to (20/14 mkm) was considered at the work. SiC grains were coated with fine-grained WC and respectively are represent as SiC(WC). To the resulting powder were impregnated by different amount of 5, 10, 20, 30 (mass%) of the binder TN65 consisting from 35% (wt) ofWC and 65% (mass) ofNi. The obtained powders were pressed and sintered in hydrogen at temperatures 1470 °С and were hold for 1 hour under the temperature. Using metallographic analysis it was observed that in the samples consisted of SiC(WC)with 5, 10%(mass) of the binder TN65 the particles of SiC are not taken offfrom composite during the grinding process. When SiC(WC) with 20, 30%(mass) of the binder TN65 the particles of SiC are not retained during grinding process, due to formation of brittle silicides during sintering.