Ефективність взаємодії міжвузловинного вуглецю з киснем, оловом і вуглецем заміщення в опроміненому кремнії

Abstract

У роботi методом iнфрачервоної фур’є-спектроскопiї проведено дослiдження ефективностi взаємодiї мiжвузловинного вуглецю з основними технологiчними домiшками кремнiю – киснем та вуглецем замiщення, а також з iзоелектронною домiшкою – оловом. Показано, що ймовiрностi взаємодiї мiжвузловинного вуглецю з мiжвузловинним киснем та вузловим вуглецем є близькими за величиною. Виявлено, що мiжвузловинний вуглець у Si, легованому оловом, має меншу термiчну стабiльнiсть, нiж у кремнiї, i температура його остаточного вiдпалу поступово знижується при зростаннi концентрацiї олова. Показано, що ймовiрнiсть взаємодiї мiжвузловинного вуглецю з оловом у ~2,3 раза перевищує ймовiрнiсть його взаємодiї з киснем та вузловим вуглецем.

В работе методом инфракрасной фур’є-спектроскопии проведено исследование эффективности взаимодействия межузельного углерода с основными технологическими примесями кремния – кислородом и углеродом замещения, а также с изоэлектронной примесью – оловом. Показано, что вероятности взаимодействия межузельного углерода с межузельным кислородом и узловым углеродом близки по величине. Обнаружено, что межузельный углерод в Si, легированном оловом, имеет меньшую термическую стабильность, чем в кремнии, и температура его окончательного отжига постепенно снижается при увеличении концентрации олова. Показано, что вероятность взаимодействия межузельного углерода с оловом в ~2,3 раза превышает вероятность его взаимодействия с кислородом и узловым углеродом.

The infrared Fourier spectroscopy technique is used for the investigation of the efficiency of interaction of interstitial carbon with the basic technological impurities in silicon, oxygen and substitution carbon, as well as with an isoelectronic impurity, tin. It is shown that the probabilities of the interaction of interstitial carbon with interstitial oxygen and substitution carbon are close. It is found that interstitial carbon in tin-doped Si is less thermostable than that in Si, and the temperature of its complete annealing gradually decreases with increasing the tin concentration. It is shown that the probability of the interaction of interstitial carbon with tin exceeds the probability of its interaction with oxygen and on-site carbon by a factor of ~2.3.