Влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов

Abstract

На примере гетероструктуры AlxGa₁₋xAs/GaAs изучено влияние подсветки на подвижность 2D электронов при рассеянии на неравновесном коррелированном распределении примесных ионов. Показано, что подсветка образца при достаточно высоких температурах приводит к подавлению эффекта «инверсии электронной проводимости».

На прикладі гетероструктури AlxGa₁₋xAs/GaAs вивчено вплив підсвічування на рухливість 2D електронів при розсіянні на нерівноважному корельованому розподілі домішкових іонів. Показано, що підсвічування зразка при досить високих температурах призводить до пригнічення ефекту «інверсії електронної провідності».

The impact of illumination on the mobility of 2D electrons during scattering by a non-equilibrium correlated distribution of impurity atoms is investigated, based on the example of the AlxGa₁₋xAs/GaAs heterostructure. It is shown that sample backlighting at sufficiently high temperatures leads to the suppression of the “electron conductivity inversion” effect.