Низкотемпературные эффекты резонансных электронных состояний на примесях переходных элементов в кинетических, магнитных и акустических свойствах полупроводников

Abstract

Изложены новые результаты исследований явлений, обусловленных существованием электронных резонансных энергетических уровней и гибридизированных состояний на примесях переходных элементов в полупроводниках. Приведены экспериментальные данные, демонстрирующие существование резонансных аномалий, связанных с влиянием примесей, в теплопроводности и ультразвуковых параметрах селенида ртути с примесями железа. Изложена детальная согласованная интерпретация совокупности наблюдавшихся эффектов гибридизированных состояний в селениде ртути с примесями железа. Обсуждается предлагаемая интерпретация данных, полученных на других системах.

Викладено нові результати досліджень явищ, які обумовлені існуванням електронних резонансних енергетичних рівнів і гібридизованих станів на домішках перехідних елементів у напівпровідниках. Наведено експериментальні дані, що демонструють існування резонансних аномалій, які пов’язані із впливом домішок, у теплопровідності й ультразвукових параметрах селеніду ртуті з домішками заліза. Викладено детальну погоджену інтерпретацію сукупності ефектів, що спостерігалися, гібридизованих станів у селеніді ртуті з домішками заліза. Обговорюється запропонована інтерпретація даних, які отримані на інших системах.

New experimental results on the phenomena caused by the existence of resonance impurity levels of transition elements in semiconductors are reported. The data show that there are impurity-induced resonance anomalies in thermal conductivity and ultrasound parameters of mercury selenide with the iron impurities. A detailed consistent interpretation of the observed resonance scattering effects in mercury selenide is proposed. The interpretation is discussed as applied to the data obtained on other systems.