Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току

Abstract

Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов.

The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed.