Влияние механических напряжений и температуры на фотолюминесценцию фуллерита С₆₀ в низкотемпературной фазе

Abstract

Приведены результаты исследований низкотемпературной (5–90 К) фотолюминесценции тонких пленок С₆₀, полученных осаждением в вакууме на нагретые подложки из слюды. Структура пленок анализировалась методом дифракции высокоэнергетических электронов. Впервые исследованы особенности свечения структурных ловушек (Х-ловушек), возникающих за счет механических напряжений при изгибе пленок С₆₀ различной структуры, осажденных на слюдяную подложку. Проведено исследование температурного поведения полос фотолюминесценции, обусловленных этими дефектами. Обсуждаются процессы захвата и транспорта электронных возбуждений в низкотемпературной фазе С₆₀.

Приведено результати досліджень низькотемпературної (5–90 К) фотолюмінесценції тонких плівок С₆₀, отриманих осадженням у вакуумі на нагріті підкладки зі слюди. Структура плівок аналізувалася методом дифракції високоенергетичних електронів. Уперше досліджені особливості світіння структурних пасток (Х-пасток), що виникають за рахунок механічних напружень при вигині плівок С₆₀ різної структури, осаджених на слюдяну підкладку. Проведено дослідження температурного поводження смуг фотолюмінесценції, обумовлених цими дефектами. Обговорюються процеси захоплення і транспорту електронних збуджень у низькотемпературн ій фазі С₆₀.

The measured data on low-temperature (5–90 K) photoluminescence of the С₆₀. thin films deposited in vacuo onto heated mica substrates at different temperatures are presented. The film structures were analyzed by the high-energy electron diffraction method. The luminescence features of the structural traps (Х-traps) originated under bending of the С₆₀. films of different structure, which have been deposited on a mica substrate, were studied for the first time. The temperature behavior of the photoluminescence bands connected with these defects was investigated. The processes of electronic excitation trapping and transport in the fullerite С₆₀. low-temperature phase are considered.