Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, том 12
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 3
→
Переглянути статтю

Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers

Rubish, V.M. ; Gera, E.B. ; Pop, M.M. ; Maryan, V.M. ; Kostyukevych, S.O. ; Moskalenko, N.L. ; Semak, D.G. ; Kostyukevych, K.V. ; Kryuchin, A.A. ; Petrov, V.V.

Інший ID: PACS 78.66.Jg

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118869

Посилання: Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers / V.M. Rubish, E.B. Gera, M.M. Pop, V.M. Maryan, S.O. Kostyukevych, N.L. Moskalenko, D.G. Semak, K.V. Kostyukevych, A.A. Kryuchin, V.V. Petrov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 251-254. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Дата: 2009

Завантажень: 413

Photo-thermoinduced changes of transmission spectra of As₄₀-xSbxS₆₀ amorphous layers

Анотація:

The results of investigation of the As₄₀-xSbxS₆₀ (x = 0-10) thin films transmission spectra depending on exposure and heat treatment conditions are given. It was established that illumination and annealing of films leads to the absorption edge shift into the longwave spectral region. The values of pseudogap width Eg are determined. Optical characteristic changes of films are caused by photo-thermostructural transformations taking place in them under irradiation and annealing.

Показати повний запис статті