Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄

Abstract

Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз.

Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками низькотемпературних фаз.

The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures 90–290 K. It is established, that the compound qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency exciton excitations are located in the ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the temperature behavior of spectral position and halfwidth of the low frequency exciton band shows the effects of thermal memory caused by the predecessors of low-temperature phases