Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації

Abstract

Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих експериментальних умовах є особливою, інтелектуальною, і зводиться до інформаційної модуляції процесів релаксації енергетично збудженої нерівноважної структури дефектів та утворення просторово-динамічної матриці об’єму, яка може запам’ятовуватися. Запропоновано доповнити традиційні механізми дії АХ на процеси релаксації структури дефектів кристала інформаційним з урахуванням реалізації дисипативного резонансу в системі домішково-дефектної структури, механізм якого забезпечує не тільки накопичення зовнішнього акустичного збурення з часом, а й стимулює просторову самоорганізацію точкових дефектів напівпровідникового кристала.

The short analysis of basic mechanisms of acoustic wave (AW) action at ionic implantation on the redistribution of impurities and defect structure of semiconductor crystal is conducted. On experimental examples were showed that action results of AW does not appear in the process of implantation, mainly, but is delayed. The action of AW in separate experimental conditions is the special, intellectual, and take to informative modulation a relaxation processes of power disturbance non-equilibrium structure of defects and formation of spatially-dynamic matrix, which can be memorized. It is suggested to complement the traditional mechanisms of action AW on the relaxation processes of crystal defect structure the informative. Such approach take into account a new possibility a realization of dissipation resonance in the system of impurity-defect structures; the mechanism of which provides not only the accumulation of external acoustic perturburation in time out, but stimulates a spatial self-organization of point defects in semiconductor crystal.