The calculation method of active power dynamics in high-current plasma diode has been presented in this paper.
The main features that should be considered in the calculations have been identified. It is shown that it is possible to
obtain the high power levels (over 100 MW) at a slight stored energy of capacitor bank (up to 200 J) under the
conditions of the space charge double layer formation in the plasma.
Представлена методика расчёта динамики активной мощности в сильноточном импульсном плазменном
диоде. Выделены основные особенности, которые необходимо учитывать при проведении расчётов.
Показано, что в условиях образования в плазме двойного электрического слоя объёмного заряда возможно
получение высоких уровней мощности (свыше 100 МВт) при незначительном (до 200 Дж) энергозапасе
конденсаторной батареи.
Представлена методика розрахунку динаміки активної потужності у сильнострумовому імпульсному
плазмовому діоді. Виділені основні особливості, які необхідно враховувати при проведенні розрахунків.
Показано, що в умовах утворення в плазмі подвійного електричного шару об’ємного заряду можливо
отримувати високі рівні потужності (більше 100 МВт) при незначному (до 200 Дж) энергозапасі
конденсаторної батареї.