Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe

Abstract

Разработана технология получения гетероструктурных солнечных элементов графен /CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо сформированных на стеклянных подложках и полиамидных плёнках. Исследуется, световые вольтамперные характеристики и определяются выходные параметры солнечных элементов.

Розроблено технологію одержання гетероструктурних сонячних елементів графен/CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо, сформованих на скляних підкладинках і поліамідних плівках. Дослід-жуються, світлові вольт-амперні характеристики і визначаються вихідні параметри сонячних елементів.

The technology of reception of graphene/CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо thin film solar cells on the glass substrates and polyamide film were developed. It is investigated the voltage-current characteristics of the solar cells is investigated and the output parameters of the solar cells is defined.