Изготовлены и исследованы джозефсоновские контакты S—F—I—S, в которых в качестве FF-слоя использован ферромагнетик со свойствами памяти формы Ni₂MnGa. Показана возможность создания так называемого π-контакта. Выявлены особенности поведения исследованных гетероструктур. Рассчитана намагниченность наноразмерной тонкой плёнки применённого ферромагнетика.
Виготовлено та досліджено Джозефсонові контакти S—F—I—S, в котрих, як FF-шар, використано феромагнетик з властивістю пам’яті форми Ni₂MnGa. Показано можливість створення так званого π-контакту. Виявлено особливості поведінки досліджених гетероструктур. Розраховано намагнетованість нанорозмірної тонкої плівки використаного феромагнетика.
Josephson S—F—I—S junctions are fabricated and investigated. In these junctions, the Ni₂MnGa ferromagnet with shape-memory effect is used as the FF layer. Possibility of fabrication of so-called π-junction is shown. Features of behaviour of the studied heterostructures are revealed. Magnetization of used nanoscale ferromagnetic thin film is calculated.