Методою високорозрізняльної Рентґенової дифрактометрії виміряно криві дифракційного відбивання (КДВ) від монокристалів ґадоліній-ґалійового ґранату Gd₃Ga₅O₁₂, яких було імплантовано різними дозами йонів F⁺ з енергією 90 кеВ. Аналіз цих КДВ проведено на основі теоретичної моделі динамічної дифракції Рентґенових променів у кристалах з неоднорідним розподілом дефектів. В результаті встановлено параметри профілю деформації та характеристики структурних дефектів у імплантованому шарі й основному об’ємі досліджуваних зразків.
Методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии измерены кривые дифракционного отражения (КДО) от монокристаллов гадолиний-галлиевого граната Gd₃Ga₅O₁₂, которые были имплантированы разными дозами ионов F⁺ с энергией 90 кэВ. Анализ измеренных КДО проведён на основе теоретической модели динамической дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с неоднородным распределением дефектов. В результате найдены параметры профиля деформации и характеристики структурных дефектов в имплантированном слое и основном объёме исследованных образцов.
By the method of high-resolution X-ray diffractometry, the rocking curves (RCs) are measured from the gadolinium gallium garnet single crystals Gd₃Ga₅O₁₂, which were implanted with different doses of the 90 keV F⁺ ions. Analysis of the measured RCs is carried out by using the theoretical model of dynamical X-ray diffraction in crystals with inhomogeneous distribution of defects. Consequently, the parameters of strain profile and characteristics of