Перегляд за автором "Турцевич, А.С."

Результати 1-10 з 10

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста

Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)

Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа ...
Зависимость структурных свойств SBT-плёнок от температуры синтеза

Сидский, В.В.; Рыбаков, А.Г.; Семченко, А.В.; Осипова, И.Ю.; Колос, В.В.; Турцевич, А.С.; Асадчий, А.Н. (Металлофизика и новейшие технологии, 2014)

Золь—гель-методом синтезированы плёнки с общей формулой SrBi₂Ta₂O₉ (SBT-плёнки). При формировании SBT-плёнок применялась методика послойного нанесения золя методом центрифугирования с последующей термообработкой каждого ...
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста

Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием ...
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

Пилипенко, В.А.; Горушко, В.А.; Петлицкий, А.Н.; Понарядов, В.В.; Турцевич, А.С.; Шведов, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в ...
Мировые тенденции развития микроэлектроники и место Республики Беларусь в этом процессе

Белоус, А.И.; Пилипенко, В.А.; Турцевич, А.С.; Шведов, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

В обзоре приведен анализ развития микроэлектроники в экономически развитых странах за период 7—10 лет до 2008 года, когда в мировой экономике начало проявляться влияние экономического кризиса. В статье использованы данные ...
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьёв, Я.А.; Рубцевич, И.И.; Керенцев, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного ...
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)

Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники.
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность ...
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки

Кучинский, П.В.; Комаров, Ф.Ф.; Мильчанин, О.В.; Ковалева, Т.Б.; Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьев, Я.А.; Гапоненко, С.В. (Электрические контакты и электроды, 2014)

Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. ...

Результати 1-10 з 10

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Турцевич, А.С."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Турцевич, А.С."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис