Перегляд за автором "Стратийчук, И.Б."

Результати 1-6 з 6

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇

Левченко, И.В.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, В.Н.; Маланич, Г.П.; Станецкая, А.С.; Корчевой, А.А. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017)

В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации.
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

Томашик, З.Ф.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, В.Н.; Будзуляк, С.И.; Гнатив, И.И.; Комар, В.К.; Дубина, Н.Г.; Лоцъко, А.П.; Корбутяк, Д.В.; Демчина, Л.А.; Вахняк, Н.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)

Разработан способ изготовления рабочего элемента Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения с высокой чувствительностью к низкоэнергетическому γ-излучению радиоактивного изотопа америция ²¹¹Am. Предложенная методика двух ...
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr

Павлович, И.И.; Томашик, З.Ф.; Томашик, В.Н.; Стратийчук, И.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Разработаны полирующие травители и даны рекомендации по их применению для обработки полупроводниковых материалов, которые используются для изготовления рабочих элементов термоэлектрических приборов.
Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

Павлович, И.И.; Томашик, В.Н.; Томашик, З.Ф.; Стратийчук, И.Б.; Копыл, А.И. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими ...
Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

Маланич, Г.П.; Томашик, В.М.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, З.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)

Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости ...
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота

Станецкая, А.С.; Томашик, В.Н.; Стратийчук, И.Б.; Томашик, З.Ф.; Галкин, С.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

Разработаны бромвыделяющие травители H₂O₂–HBr–уксусная кислота для формирования полированной поверхности кристаллов нелегированного и легированного ZnSe. Изучены зависимости скорости растворения кристаллов от состава ...

Результати 1-6 з 6

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Стратийчук, И.Б."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Стратийчук, И.Б."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис