Перегляд за автором "Смынтына, В.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния 
    Кулинич, О.А.; Смынтына, В.А.; Глауберман, М.А.; Чемересюк, Г.Г.; Яцунский, И.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Показано, каким образом дефекты исходного кремния влияют на структурные изменения поверхности и приповерхностной области в процессе высокотемпературного окисления.
  • Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний» 
    Смынтына, В.А.; Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Свиридова, О.В.; Марчук, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Увеличение толщины слоя поликристаллического р-кремния приводит к увеличению дрейфовой составляющей тока в зоне пространственного заряда контакта, возникающей вследствие увеличения поверхностной плотности рассеивающих ...
  • Межзонное поглощение света полупроводниковыми нанокристаллами 
    Шпак, А.П.; Покутний, С.И.; Смынтына, В.А.; Уваров, В.Н. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2008)
    Проанализированы результаты теоретических и экспериментальных исследований межзонного поглощения света полупроводниковыми нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью ...
  • Роль пластической деформации в получении нанокремния 
    Смынтына, В.А.; Кулинич, О.А.; Яцунский, И.Р.; Марчук, И.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    В результате высокотемпературного окисления Si в приповерхностных слоях образуется сложная дефектная область. Стравливание SiO₂ и обработка поверхности избирательными травителями позволяет получать наноструктурированный ...
  • Цифровой метод измерения коэффициента направленного отражения поверхности 
    Иванченко, И.А.; Сантоний, В.И.; Смынтына, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Применение в отражательной фотометрии многоэлементного фотоприемника позволило увеличить точность и упростить измерение спектрального коэффициента направленного отражения поверхности.