Окулов, В.И.; Альшанский, Г.А.; Константинов, В.Л.; Королев, А.В.; Нейфельд, Э.А.; Сабирзянова, Л.Д.; Памятных, Е.А.; Паранчич, С.Ю.
(Физика низких температур, 2004)
Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных
элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной
на примесях электронной плотности. Связанная с ...