Перегляд за автором "Остапчук, П.Н."

Результати 1-12 з 12

Влияние электронного облучения с энергией 0,5 МэВ на деформацию сплава Э110 в интервале температур 10...300° С

Дубинко, В.И.; Кушнир, В.А.; Ходак, И.В.; Грицина, В.М.; Остапчук, П.Н.; Лебедев, В.П.; Лебедев, С.В. (Вопросы атомной науки и техники, 2012)

Изучено воздействие электронного пучка с энергией 0,5 МэВ и плотностью потока 2·10¹³ см⁻²·с⁻¹ на деформацию поликристаллического сплава Э110 (сплав Zr⁻¹ %Nb российского производства) при одноосном растяжении со скоростью ...
Диффузионная задача в окрестности краевой дислокации. Точные соотношения

Троценко, О.Г.; Остапчук, П.Н. (Вопросы атомной науки и техники, 2013)

Получено точное выражение для стационарного потока точечных дефектов на краевую дислокацию. В силу линейности задачи оно разбивается на два слагаемых. Первое – обусловлено разностью химических потенциалов точечных дефектов ...
Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением

Слёзов, В.В.; Остапчук, П.Н. (2010)

Предложен способ приближенного учета квадратичного слагаемого рекомбинационного типа в диффузионной задаче в области влияния стока. Суть его состоит в следующем: вблизи границы стока этим слагаемым, как и ранее, пренебрегаем ...
Моделирование повышения пластичности материалов под действием импульсов электрического тока

Дубинко, В.И.; Карась, В.И.; Клепиков, В.Ф.; Остапчук, П.Н.; Потапенко, И.Ф. (Вопросы атомной науки и техники, 2009)

Исследован электропластический эффект (ЭПЭ) - повышение пластичности металлов под действием импульсов электрического тока. Рассмотрен механизм ЭПЭ в рамках модели дислокационной струны, преодолевающей стопоры в результате ...
Обобщенный формализм коалесценции в теории вакансионного распухания металлов

Остапчук, П.Н. (Вопросы атомной науки и техники, 2012)

Описывается поздняя стадия эволюции ансамбля пор в металлах под облучением. Это описание основано на механизме радиационно-индуцированной коалесценции (РИК), как следствии обратно пропорциональной зависимости преференса ...
Тензор Грина кристаллов гексагональной системы

Остапчук, П.Н. (Вопросы атомной науки и техники, 2012)

Метод построения тензора Грина для основного уравнения теории упругости в случае анизотропной среды, предложенный И.М. Лифшицем и Л.Н. Розенцвейгом, в принципе, сводится к вычетам и подразумевает нахождение корней (полюсов) ...
Тензор Грина кристаллов гексагональной системы

Остапчук, П.Н. (Вопросы атомной науки и техники, 2012)

Метод построения тензора Грина для основного уравнения теории упругости в случае анизотропной среды, предложенный И.М. Лифшицем и Л.Н. Розенцвейгом, в принципе, сводится к вычетам и подразумевает нахождение корней (полюсов) ...
Тензорная функция Грина в теории упругости анизотропной гексагональной среды

Остапчук, П.Н.; Троценко, О.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2014)

Методом Лифшица-Розенцвейга получены компоненты тензорной функции Грина упругоанизотропной гексагональной среды в общем виде, справедливом как для мнимых, так и для комплексных полюсов. Результат точный, и в отличие от ...
Тензорная функция Грина гексагональных переходных металлов

Остапчук, П.Н. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)

Методом И.М. Лифшица и Л.Н. Розенцвейга получены выражения для компонент тензорной функции Грина для основного уравнения теории упругости в случае гексагональных 4d и 5d переходных металлов. В отличие от металлов кубической ...
Теплообмен между горячими электронами и дислокационными фононами и его роль в пластичности металлов

Остапчук, П.Н.; Дубинко, В.И.; Карась, В.И.; Клепиков, В.Ф. (2010)

Вычислены коэффициенты теплопередачи и характерное время разогрева дислокационных фононов при взаимодействии с электронами проводимости в металлах, находящихся в неравновесных условиях (облучение, электрический ток). ...
Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокационной петлей в методе функций Грина

Остапчук, П.Н.; Троценко, О.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2015)

В изотропном приближении упругой среды даются выражения энергии упругого взаимодействия между точечным дефектом и круговой краевой дислокацией, посчитанные двумя различными способами. Первый – это решение уравнений равновесия; ...
Эволюция температурных вспышек в электронной, ионной и дислокационной подсистемах при облучении металлов пучками заряженных частиц

Дубинко, В.И.; Клепиков, В.Ф.; Новиков, В.Е.; Остапчук, П.Н.; Сорока, А.А.; Танатаров, Л.В.; Танатаров, И.В. (Вопросы атомной науки и техники, 2007)

При облучении материалов быстрыми ионами или электронами основная доля энергии частиц тратится на возбуждение электронной подсистемы, которая затем передает ее решетке посредством электрон-фононного взаимодействия. Проводится ...

Результати 1-12 з 12

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Остапчук, П.Н."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Остапчук, П.Н."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис