Перегляд за автором "Михайлов, Н.Н."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe 
    Квон, З.Д.; Ольшанецкий, Е.Б.; Михайлов, Н.Н.; Козлов, Д.А. (Физика низких температур, 2009)
    Дан краткий обзор результатов изучения свойств двумерных электронных систем (ДЭС) в квантовых ямах (КЯ) на основе двойного гетероперехода CdHgTe/HgTe/CdHgTe с ориентацией поверхности (100) и (013). Описаны основные особенности ...
  • Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe 
    Квон, З.Д.; Ольшанецкий, Е.Б.; Козлов, Д.А.; Новик, Е.Г.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А. (Физика низких температур, 2011)
    Дан обзор первых результатов по исследованию новой двумерной электронной системы — двумерного полуметалла (ДП), обнаруженного в широких квантовых ямах на основе теллурида ртути, обладающих инвертированным зонным спектром. ...
  • Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe 
    Козлов, Д.А.; Bauer, D.; Ziegler, J.; Fischer, R.; Савченко, М.Л.; Квон, З.Д.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А.; Weiss, D. (Физика низких температур, 2017)
    Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в ...
  • Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe 
    Козлов, Д.А.; Квон, З.Д.; Савченко, М.Л.; Weiss, D.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А. (Физика низких температур, 2015)
    Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4⋅10⁵ см² /В⋅с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня ...