Теоретически обоснована возможность спектроскопии электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ) ме­тодом продольной фокусировки электронов (ПФЭ) в тонких металлических пластинах. Показано, что ПФЭ позволяет получить недоступную ...

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых ...

Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления наноуглеродного материала (НУМ), содержащего углеродные нанотрубки, в магнитном поле до 5 Тл и температуре до 0,54 К. Полученные экспериментальные ...

Теоретически исследована проводимость квантового контакта, содержащего единичные точечные дефекты и потенциальный барьер. В рамках модели квантовой проволоки, соединяющей массивные берега, получена зависимость кондактанса ...

Теоретически исследовано влияние точечных дефектов на проводимость баллистических микроконтактов. Показано, что размерная зависимость сопротивления R(d) определяется соотношением между диамет­ром контакта d и характерным ...

Теоретически исследованы эффекты электронной фокусировки (ЭФ) в слоистом металле, ферми-по- верхность которого представляет собой слабо гофрированный цилиндр. Предсказаны особенности в зависи­ мости сигнала на измерительном ...