Перегляд за автором "Козак, А.О."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Козак, А.О.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Іващенко, Л.А.; Синельниченко, О.К.; Дуб, С.М.; Литвин, О.С.; Тимофєєва, І.І.; Толмачева, Г.М. (Сверхтвердые материалы, 2015)
    Тонкі плівки Si–C–N осаджено на кремнієві підкладки реактивним магнетронним розпиленням кремній-вуглецевої мішені на постійному струмі та при різних співвідношеннях потоків азоту FN2 і аргону FAr. Для дослідження структури, ...
  • Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Козак, А.О.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних ...
  • Порада, О.К.; Іващенко, В.І.; Іващенко, Л.А.; Козак, А.О.; Ситіков, О.О. (Сверхтвердые материалы, 2019)
    Приведено основні принципи створення на базі вакуумного універсального поста ВУП-5(М) та подальшого використання плазмохімічного устаткування для осадження тонкоплівкових, у тому числі наношарових, матеріалів із парів ...
  • Порада, О.К.; Козак, А.О.; Іващенко, В.І.; Дуб, С.М.; Толмачева, Г.М. (Сверхтвердые материалы, 2016)
    Аморфні SiCN-покриття було осаджено на кремнієві підкладки методом плазмохімічного осадження (PECVD) з використанням гексаметилдісилазану в якості основного прекурсора. Досліджено вплив температури осадження на структуру, ...