Перегляд за автором "Бончик, А.Ю."

Результати 1-3 з 3

Влияние высокодозового облучения ионами N⁺ на кристаллическую структуру Y₂,₉₅La₀,₀₅Fe₅O₁₂

Фодчук, И.М.; Гуцуляк, И.И.; Заплитный, Р.А.; Яремий, И.П.; Бончик, А.Ю.; Сыворотка, И.И. (Металлофизика и новейшие технологии, 2013)

Методами рентгеновской дифрактометрии с высоким разрешением исследована структура приповерхностных слоёв эпитаксиальных плёнок лантанзамещённых железоиттриевых гранатов до и после высокодозовой имплантации ионами азота. ...
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Савицкий, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”

Савицкий, Г.В.; Бончик, А.Ю.; Ижнин, И.И.; Кияк, С.Г.; Могиляк, И.А.; Тростинский, И.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)

Проведена модернизация промышленной установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" для обеспечения повторяемости и воспроизводимости температурно-временных циклов отжига малой длительности при высоких скоростях ...

Результати 1-3 з 3

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Бончик, А.Ю."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Бончик, А.Ю."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис