Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Раевская, Н.С.; Беляев, А.Е.; Бобыль, А.В.; Конакова, Р.В.; Кудрик, Я.Я.; Миленин, В.В.; Новицкий, С.В.; Шеремет В.Н.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.