Перегляд за автором "Баранський, П.І."

Результати 1-16 з 16

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2012)
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Асніс, Ю.А.; Баранський, П.І.; Бабич, В.М.; Піскун, Н.В.; Статкевич, І.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2014)

У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = ...
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію

Гайдар, Г.П.; Баранський, П.І. (Доповіді НАН України, 2016)

У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на ...
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)

При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки ...
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації

Гайдар, Г.П.; Баранський, П.І. (Доповіді НАН України, 2015)

На зразках n−Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформацiї вiдбувається лише вiдносне змiщення iзоенергетичних елiпсоїдiв у шкалi енергiй, однак форма елiпсоїдiв залишається ...
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si

Гайдар, Г.П.; Баранський, П.І. (Доповіді НАН України, 2017)

При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • ...
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015)

Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ...
Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2010)

Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n–Si : As наявність градієнта температури на межі рідкої і твердої фаз у процесі їх вирощування з розплаву не приводить до прояву анізотропії у флуктуативному ...
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

Баранський, П.І.; Бабич, В.М.; Гайдар, Г.П. (Доповіді НАН України, 2013)

У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє ...
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а ...
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)

Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також ...
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У ...
Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Термоелектрика, 2009)

У роботі проаналізовано властиві нанооб’єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, ...
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)

Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоЕРС у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації, а також зв’язки, які існують між параметрами анізотропії термоЕРС.
Фундаментальна наука і суспільний поступ

Мачулін, В.Ф.; Баранський, П.І. (2007)

Основне призначення фундаментальної науки — встановлення закономірностей певних явищ і процесів, що відбуваються у природі і суспільстві, добування нового знання, пошук істини.

Результати 1-16 з 16

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Баранський, П.І."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Баранський, П.І."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис